NTMS4917NR2G详细
MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8 FL
NTMS4917NR2G参数
包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.1A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):11 毫欧 @ 11A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15.6nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1054pF @ 25V,功率 - 最大值:880mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽),供应商器件封装:8-SOIC N